Мурманск
Мурманск
8 (8152) 400 - 400
  • Сообщение
ВКонтакте
Вход
ТехноЦентр ТехноЦентр
  • Меню
  • Товары
  • Услуги
    Наши услуги Корпоративным клиентам Автоматизация торговли Отдел информационных технологий
  • Новости
  • О компании
    О компании Сертификаты и лицензии Авторизации Вакансии
  • Адреса и контакты
8 (8152) 400 - 400
0
0
К сожалению, ваша корзина пуста.
Исправить это недоразумение очень просто:
выберите в каталоге интересующий товар и нажмите кнопку «В корзину».
Общая сумма:0 р.
Перейти в корзину
  • Акции
  • Еще
Главная-О компании-Новости-NAND в 3D

NAND в 3D

Темы новостей
  • Игровые устройства
  • Комплектующие
  • Компьютерные игры
  • Компьютеры
  • Новости
  • Периферия
  • Портативные компьютеры
  • Портативные устройства
  • Программное обеспечение
  • Прочее
  • Сервисный центр
  • Сети
  • События
  • Торговое оборудование
  • Фото-видео техника
22 Апреля 2016
Использование трехмерной архитектуры памяти 3D V-NAND в SSD Samsung 850 EVO и 850 Pro позволило не только улучшить надежность хранения данных и скорость работы накопителей, но и увеличить их емкость до 2 ТБ без потери надежности хранения данных.




Особенности технологии 3D V-NAND заключается в том, что ячейки памяти имеют цилиндрическую форму, устраняющую влияние их друг на друга, а увеличение емкости достигается за счет расположения ячеек друг над другом в 32 слоя без ущерба для надежности хранения данных и скорости работы. Причем 32 слоя это не предел. Ячейки же обычной памяти имеют плоскую структуру, располагаясь в одной плоскости. И увеличение емкости в этом случае происходит или за счет уменьшения техпроцесса или за счет увеличения площади чипа. Уменьшение техпроцесса в итоге может привести к тому, что ячейки будут столь близко располагаться друг к другу, что между ними начнется взаимодействие, снижающее надежность хранения информации.




Кроме того, V-NAND не просто предполагает расположение ячеек слоями, но и вносит некоторые изменения в базовое устройство ячеек флеш-памяти, используя технологию Charge Trap Flash (CTF) — «флеш с ловушкой заряда». Не будем вдаваться в технические подробности данной технологии, отметим лишь, что она снижает вероятность возникновения структурных дефектов при многослойном производстве и уровень напряжений, необходимых для программирования ячеек, увеличивая время их жизни, снижая энергопотребление и повышая производительность при записи.




Ключевое отличие серии Samsung 850 Pro от 850 EVO заключается в используемом типе памяти. В первом случае накопитель базируется на MLC памяти, во втором – на TLC. MLC память в каждой ячейке хранит 2 бита данных, выдерживает большее количество циклов перезаписи и является более быстрой, чем TLC, хранящая в ячейке 3 бита данных.

Еще одно отличие серий заключается в используемом контроллере, но тут важна не только серия, но и объем накопителя. Так, в SSD 850 Pro емкостью 1 ТБ и меньше установлен контроллер Samsung MEX с тремя ядрами ARM Cortex-R4. Этот же контроллер установлен и в 850 EVO емкостью 1 ТБ. Накопители EVO меньшей емкости используют упрощенный и более энергоэффективный 2-х ядерный контроллер MGX. Что же касается накопителей емкостью 2 ТБ, то для них был разработан новый процессор MHX, который также как и MEX, основан на трех ядрах ARM Cortex-R4, но при этом обладает более мощным интерфейсом оперативной памяти. В качестве DRAM-буфера используется до 2 Гбайт LPDDR3.

Для сравнения характеристик моделей предлагаем ознакомиться с таблицей ниже.


Серия 850 Pro 850 EVO
Ёмкость 128 ГБ 256 ГБ 512 ГБ 1 ТБ 2 ТБ 120 ГБ 250 ГБ 500 ГБ 1 ТБ 2 ТБ
Микросхемы памяти: тип, интерфейс, техпроцесс, производитель Samsung 86 Гбит 32-слойная MLC V-NAND Samsung 128 Гбит 32-слойная MLC V-NAND Samsung 128 Гбит 32-слойная TLC V-NAND
Контроллер Samsung MEX Samsung MHX Samsung MGX Samsung MEX Samsung MHX
Буфер: тип, объем LPDDR2-1066,
256 МБ
LPDDR2-1066,
512 МБ
LPDDR2-1066,
512 МБ
LPDDR2-1066,
1 ГБ
LPDDR3-1600,
2 ГБ
LPDDR2-1066,
256 ГБ
LPDDR2-1066,
512 ГБ
LPDDR2-1066,
512 ГБ
LPDDR2-1066,
1 ГБ
LPDDR3-1600,
2 ГБ
Макс. устойчивая скорость последовательного чтения 550 Мбайт/с 550 Мбайт/с
Макс. устойчивая скорость последовательной записи 470 Мбайт/с 520 Мбайт/с 520 Мбайт/с
Макс. скорость произвольного чтения (блоки по 4 Кбайт) 100000 IOPS 94000 IOPS
Макс. скорость произвольной записи (блоки по 4 Кбайт) 90000 IOPS 88000 IOPS
Потребляемая мощность: бездействие/чтение-запись 0,06 Вт/3,0-3,3 Вт 0,05-0,06 Вт/3,7-4,7 Вт
MTBF (среднее время наработки на отказ) 2,0 млн ч 1,5 млн ч
Ресурс записи 150 ТБ 300 ТБ 75 ТБ 150 ТБ


Стоит отметить, что высокие скорости, заявленные в спецификациях накопителей 850 EVO, учитывают работу технологии TurboWrite. Она использует для ускорения операций псевдо-SLC-кэш. Размер быстрого кэша зависит от емкости SSD. Для моделей на 120 и 250 Гбайт его объем установлен на отметке 3 ГБ, для модификации на 500 ГБ - 6 ГБ, для терабайтного накопителя - 12 Гбайт, для 2ТБ – 24 ГБ. При записи данных на накопитель в первую очередь всегда заполняется этот скоростной буфер, а во время простоя данные из него переносятся в более медленную TLC-память. Соответственно, лишь в пределах от 3 до 12 Гбайт запись данных будет происходить быстро. Затем скорость записи резко падает до штатного для TLC NAND уровня. Однако достаточно убрать нагрузку буквально на несколько секунд, как режим ускоренной записи снова включится. В результате в обычной повседневной работе никакого падения производительности, скорее всего, заметно не будет. SSD 850 Pro технологию TurboWrite не поддерживают.

850 EVO и 850 Pro поддерживают технологию кэширования Rapid Mode, когда данные пишутся сначала в специальный буфер в оперативной памяти и только затем уже передаются по интерфейсу SATA. Также реализована и поддержка других технологий:

  • Переход в энергосберегающее состояние DevSleep (специальный режим сна) с минимальным энергопотреблением, что увеличивает время работы ноутбука, оснащенного таким SSD.
  • Шифрование данных AES 256 bit Encryption (Class 0) , TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive).
  • Технология GC (Garbage Collection) обеспечивает максимальную производительность благодаря алгоритму автоматического сбора мусора.

Все накопители 850 Pro и 850 EVO выполнены в корпусе из алюминиевого сплава в форм-факторе 2.5” высотой 7 мм и подключаются через интерфейс SATA III.

Наличие и цену уточняйте здесь.
Весь ассортимент представлен здесь.


Использованы материалы сайтов:
3dnews.ru
hardwareluxx.ru

Комментарии

Для того, чтобы оставить комментарий, Вам нужно зарегистрироваться или авторизоваться
Вернуться
8 (8152) 400 - 400
© ТехноЦентр 2004-2023 18+
Разработка сайта - ITConstruct
Как сделать заказ
Способы оплаты
Возврат или обмен
Политика
Условия доставки
18+
Технические характеристики товара, комплект поставки и внешний вид могут быть изменены без отображения на этом сайте.
Цены на товар и его наличие носят исключительно информационный характер, и ни при каких условиях не являются публичной офертой.


Реклама: Dream SMP Merch
Используя наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie и пользовательских данных.
Оставаясь на сайте, вы соглашаетесь с политикой их применения. Подробнее
Подробнее
Хорошо